据西安电子科技大学网站，近日，西安电子科技大学杭州研究院（西电杭研院）韩根全教授课题组在铁电场效应晶体管（FeFET）存储和存算技术领域取得重要进展，相关研究成果以“Low-power Edge Detection Based on Ferroelectric Field-Effect Transistor”为题发表于《自然·通讯》。

传统的边缘检测方法计算复杂，耗电多，效率低，不适合资源有限的环境。为了解决这个问题，研究团队基于FeFET芯片实现了一种新的算法和特征匹配技术，硬件设计简单高效，不需要复杂的卷积计算，也不依赖ADC。通过简单的接口，系统能直接通过电流信号来区分信息，大大降低了功耗和硬件复杂度。实验表明，该系统在每次操作时只消耗极少的能量，却能高效完成图像边缘检测，且精度稳定。与传统方法相比，它减少了硬件占用和计算复杂度，为边缘计算提供了低功耗的解决方案。

这一成果为解决边缘智能功耗和性能问题提供了新思路，也对物联网设备和嵌入式系统的硬件开发有重要影响。